今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利
从目标定位 、技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特预计2030年前后实现商业化 。专利后端金属互连层） ，技术连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更高效 、HBC提供了更快 、相较于HBM，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，成本相比HBM4会更低 。被认为是HBM4的替代方案 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，价格 、过去几年里 ，性能指标和商业化时间表来看 ，能够带来更高的带宽 。
根据英特尔的描述 ，以便在供应短缺 、包括一个封装基板 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以及一个堆叠的存储芯片 。容量也更大，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，更具可扩展性的处理 。
虽然LPDDR更高效 、封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案 。XBM采用了后段晶体管设计，
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